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硅衬底,跻身干流待何时?

来源:http://lrbqc.cn 责任编辑:环亚ag88手机版 更新日期:2018-10-09 09:19

  硅衬底,跻身干流待何时?

  衬底作为半导体照明工业的核心技能,是工业开展的柱石,衬底资料的选用直接决议了LED芯片的制作道路。日前,普瑞光电宣告下一年将量产8英寸硅衬底的音讯引起了业界的分外重视。随后,Cree也发布音讯称,其白光功率型LED光效再度改写职业最高纪录,到达254lm/W。一面是硅衬底这条新技能道路研制获得打破性开展的音讯时有爆出,一面是SiC衬底芯片光效的快速提高,而蓝宝石衬底也因产能过剩价格低至谷底而备显竞赛力。

  面临新技能的快速开展和老技能的不断打破,现在,SiC、蓝宝石、硅这三种不同的衬底技能道路,哪种在本钱和功能上更具优势?假如越来越多的公司开端量产硅衬底,是否会对SiC与蓝宝石这两种技能道路构成冲击?不同的技能道路,国内外相关研讨机构开展又怎么?未来哪一种衬底技能道路会更被看好?本刊记者带您一同了解咱们对这三条不同衬底技能未来开展的观点。

  逐鹿硅衬底

  虽然可用于GaN基LED的衬底资料较多,但现在工业化的干流衬底只要两种蓝宝石和SiC。因这两种技能道路遭到专利、技能壁垒以及本钱高级瓶颈限制,探寻具有更高性价比的衬底技能道路成为许多厂家的寻求。硅作为一种衬底资料,与蓝宝石和SiC比较,具有低本钱、大尺度、高质量、导电等长处,且硅衬底GaN基资料及器材的研制将进一步促进GaN基器材与传统硅衬底器材工艺的集成,被认为是颇具出路的GaN衬底资料。现在国际上越来越多的LED大厂纷繁加入到对硅衬底技能研讨的队伍中。

  据记者查询了解,日前许多公司研制的硅衬底LED芯片的质量和功能数据已可与蓝宝石衬底芯片相美。例如普瑞光电8英寸硅衬底芯片色温为4700K时,光效已到达160lm/W;色温为3000K时,光效已到达125lm/W,显色指数可到达80。欧司朗规范Golden Dragon Plus LED封装中的蓝光UX:3芯片在3.15V时亮度可达634mW,假如再结合规范封装中的传统荧光粉变换,这些白光LED原型在350mA电流下亮度将到达140lm,色温为4500K时将完成127lm/W的光效。晶能光电2英寸硅衬底量产芯片,色温为5000K时,350mA下遍及光效超越110lm/W,6寸硅衬底芯片研制获得重大开展,功能和2寸片适当,现在正准备6寸量产制程设备。除此之外,飞利浦、三星也均在硅衬底方面打开研讨,而三星更是一开端就瞄准了8英寸大尺度的直接下手……能够预言,由硅衬底引发的半导体照明核心技能的竞赛正在全球掀起。

  与蓝宝石和SiC比较,在硅衬底上成长GaN更为困难,这两者之间热失配和晶格失配更大。普瑞光电负责人表明,其选用的新方案已打破硅衬底GaN上基层无法合的技能妨碍,但现在选用的新方案技能细节尚不方便泄漏。普瑞光电负责人表明,未来将挑选代工形式,与经验丰富的世界级半导体公司协作量产硅衬底,提高产品良率,估计2013年头就将投产。在硅衬底研制方面也已获得杰出开展的欧司朗于2012年头对外宣告,其研制人员成功地制作出高功能蓝白光 LED原型,傍边的GaN发光层成善于直径为6英寸底的硅衬底上。欧司朗亚太区商场总监钟介聪表明:现在实验室水平已能获得与蓝宝石衬底相同的质量,全新的LED芯片现已进入试点阶段,将在实践条件下承受测验,第一批硅衬底LED芯片有望在两年内投放商场。

  在国外厂家对硅衬底研制水平快速提高的一起,熊锐:成都传媒集团在新闻事业改革中具有突出代表性,全球首家完成硅衬底GaN基LED大功率芯片商业化的单位晶能光电,早在2006年就现已开端进行硅衬底LED芯片的工业化测验,先后推出多种标准的硅衬底LED芯片,整体良品率约80%。据记者了解,晶能光电的首要技能支持单位国家硅基LED工程技能研讨中心也已研制成功第二代硅衬底LED,光效、合格率和可靠性均有明显提高,一起制作工艺大幅简化,本钱明显下降。

  

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  越来越多的公司参加到硅衬底的研讨并获得快速的开展,这也说明晰硅衬底LED这条技能道路正逐渐成为LED照明重要的技能道路之一,由此,硅衬底LED将会占有更高的商场份额。一起,国产硅衬底LED不再孑立,其认知度和商场承受度,不会由于单一的供货源而影响用户推行运用的决计。南昌大学教授江风益表明:咱们现在把硅衬底LED成长MOCVD设备制作与外延工艺结合起来,已获得喜人开展。近一年的快速前进,愈加坚决了走这一自主立异之路的决计和决计。现在项目现已得到国家科技部、工信部、发改委和江西省、南昌市等大力支持。信任坚持下去,继续扶持,会有更好的体现。

  工业化与良品率成要害

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