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中外LED芯片技能差异大 国产技能待提高

来源:http://lrbqc.cn 责任编辑:环亚ag88手机版 更新日期:2018-09-14 15:00

  中外LED芯片技能差异大 国产技能待提高

  现在,LED芯片技能的开展关键在于衬底资料和晶元成长技能。除了传统的蓝宝石、硅(Si)、碳化硅(SiC)衬底资料以外,氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)等也是当时LED芯片研讨的焦点。现在,市面上大多选用蓝宝石或碳化硅衬底来外延成长宽带隙半导体氮化镓,这两种资料价格都十分贵重,且都为外国大企业所独占,而硅衬底的价格比蓝宝石和碳化硅衬底廉价得多,可制作出尺度更大的衬底,进步MOCVD的利用率,然后进步管晶产率。所以,为打破世界专利壁垒,我国研讨机构和LED企业从硅衬底资料着手研讨。

  但问题是,硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技能难点,两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺点密度高和裂纹等技能问题长期以来阻止着芯片范畴的开展。

  无疑,从衬底视点看,干流衬底依然是蓝宝石和碳化硅,但硅已经成为芯片范畴往后的开展趋势。关于价格战相对严峻的我国来说,硅衬底更有本钱和价格优势:硅衬底是导电衬底,不光能够减少管晶面积,还能够省去对氮化镓外延层的干法腐蚀过程,加之,硅的硬度比蓝宝石和碳化硅低,在加工方面也能够节约一些本钱。

  现在LED工业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主,如能选用硅基氮化镓技能,至少可节约75%的质料本钱。据日本三垦电气公司估量,LED照明职业做好专业型商场需清!运用硅衬底制作大尺度蓝光氮化镓LED的制作本钱将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。

  世界间欧司朗、美国普瑞(BRIDGELUX)、日本莎姆克(SAMCOINC)等一流企业已经在大尺度硅衬底氮化镓基LED研讨上获得打破,飞利浦、韩国三星、LG、日本东芝等世界LED巨子也掀起了一股硅衬底上氮化镓基LED的研讨热潮。其间,在2011年,美国普瑞在8英寸硅衬底上研宣布高光效氮化镓基LED,获得了与蓝宝石及碳化硅衬底上顶尖水平的LED器材功能相媲美的发光功率160lm/W;在2012年,欧司朗成功生产出6英寸硅衬底氮化镓基LED。

  反观我国,LED芯片企业技能的打破点首要仍是进步产能和大尺度蓝宝石晶体成长技能,除了晶能光电在2011年成功完成2英寸硅衬底氮化镓基大功率LED芯片的量产外,我国芯片企业在硅衬底氮化镓基LED研讨上无大的打破,现在我国LED芯片企业仍是主攻产能、蓝宝石衬底资料及晶圆成长技能,三安光电德豪润达同方股份等我国芯片巨子也大多在产能上获得打破。

  

   LED芯片MOCVD蓝宝石碳化硅衬底

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