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20nm工艺 三星流片国际最先进半导体芯片

来源:http://lrbqc.cn 责任编辑:环亚ag88手机版 更新日期:2018-09-02 16:55

  20nm工艺 三星流片国际最先进半导体芯片

  据悉,三星电子近来宣告,其最新的20nm工艺实验芯片的流片现已成功,这也是现在业界最先进的半导体制作工艺。

三星电子此番利用了美国加州电子规划自动化企业Cadence Design Systems供给的一体化数字流程RTL-to-GDSII。这套根据Encounter的流程和办法彻底可以满意三星20nm实验芯片从IP集成到规划验证的杂乱需求,包含Encounter数字布置体系、Encounter RTL编译器、Incisive企业模拟器、Encounter电源体系、QRC Extraction提取东西、Encounter计时体系、Encounter测验与物理验证体系、Encounter NanoRoute路由等等。

三星的实验芯片由ARM Cortex-M0微处理器和ARM Artisan物理IP组成,不过这颗20nm工艺制作的芯片究竟包含了多少晶体管、中心面积上又有多大等信息现在并未泄漏。

另据了解,三星20nm工艺将运用第二代后栅极(Gate Last)和高K金属栅极(HKMG)技能,第二代超低K电介质资料,第五代应变硅晶圆,193毫米沉溺式光刻工艺。

尽管刚刚流片成功,可是三星现已向客户开放了其20nm前期工艺规划套装(PDK),便利他们开端着手下一代新工艺产品的规划。

三星在芯片范畴的作业其实现已深耕多年,之前就曾和Cadence公司有过深化协作,招标采购案例分析:投,包含在IBM领导的Common Platform(通用渠道);联盟下的32/28nm工艺,以及低功耗HKMG技能等。
 

  

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