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硅衬底GaN LED全球抢先 半导体资料商场空间巨大

来源:http://lrbqc.cn 责任编辑:环亚ag88手机版 更新日期:2018-10-08 10:44

  硅衬底GaN LED全球抢先 半导体资料商场空间巨大

  出资关键

  晶能光电硅衬底LED全球抢先

  依据2015年6月科技部网站发布的国家科学技能奖赏初评成果,硅衬底高光效GaN 基蓝色发光二极管被初评为技能发明奖一等奖。项目首要完成人之一孙钱博士为晶能光电副总裁和常州公司总经理,项目首要完成人之一王敏博士为晶和照明董事长。完成了LED 关键技能的多项重大打破,在硅衬底LED 范畴全球抢先。

  硅衬底GaN 是完成高效蓝光发光二极管最佳挑选

  现在能用于产业化出产蓝绿光LED 资料的衬底有:蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅(Si)衬底;正在敏捷前进且具有潜在产业化出产的衬底有:氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)。其间,SiC 衬底及LED 制备技能被美国公司独占,蓝宝石衬底技能则首要把握在日本公司手中,Si 衬底技能已由南昌大学打破。硅衬底是现在外延成长GaN薄膜的最佳挑选,现在南昌大学也已在S(i 111)衬底上成长出发光特性能与蓝宝石或SiC 衬底上比美的GaN 蓝光LED。

  SiC、GaAs/ GaN 、Si 商场竞争格式剖析

  除应在LED 范畴之外,衬底SiC、GaAs/ GaN 、Si 还广泛应用在太阳能、军工、通讯、集成电路等,商场空间巨大。尽管大部分衬底资料被国外独占,近两年国内企业开端进入衬底资料范畴,而且部分企业产业化在即。上市公司包含扬杰科技进入SiC 范畴,三安光电进入GaAs/ GaN 范畴,上海新阳和兴森科技进入大硅片范畴。

  出资主张

  此次硅衬底高光效GaN 基LED 在我国获得重大成就,打破了日、美公司的蓝宝石和碳化硅衬底的技能独占,构成半导体照明技能鼎足之势的局势。咱们看好LED 芯片和封装职业,首要引荐市值小LED 芯片企业包含乾照光电澳洋顺昌,船小好调头;LED 封装龙头聚飞光电。长时间看好半导体资料国产化代替,首要引荐的上市公司三安光电(GaAs/ GaN)、扬杰科技(SiC)、上海新阳(Si)

  

   LED半导体硅衬底GaN商场空间全球抢先

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